SK하이닉스, 고성능·저전력·고용량 초고속메모리 개발

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SK하이닉스가 업계 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(초고속 메모리) 제품을 개발하는데 성공했다고 26일 밝혔다.

이 제품은 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 고성능·저전력·고용량 D램 제품이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.

특히 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터·네트워크·서버 등에 응용될 전망이다.

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했으며 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD와 공동 개발을 진행했다.

이를 바탕으로 내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달할 계획이며 HBM을 SoC(System on Chip)와 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급할 예정이다.

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장 전무는 “TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다”고 말했다.

한편 이번에 개발한 HBM은 내년 하반기부터 본격 양산할 계획이다.

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HBM을 SoC와 결합한 SiP 개념도. 사진=SK하이닉스 제공


강길홍 기자 slize@
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