DGIST, 그래핀기반 차세대 반도체 핵심기술 개발

정보통신융합전공 양재훈 박사과정 학생(좌), 장재은 교수(사진제공=DGIST)

DGIST(총장 국양)는 정보통신융합전공 장재은 교수팀에서 단층 그래핀의 초고주파 전송 특성을 연구해 그래핀 내의 전하 농도 증가를 유도한 고성능의 초고주파수용 전송 선로를 개발했다고 2일 밝혔다.

최근 반도체 소자의 고집적화와 고속화로 인해 소자들 간의 신호가 전송되는 금속 배선의 저항이 기하급수적으로 증가하며 허용할 수 있는 전류 밀도가 한계에 다다르는 문제가 발생한다.

이를 해결하기 위해 기존의 금속 물질의 대체제로 여겨지는 그래핀, 탄소나노튜브와 같은 탄소 기반의 나노 구조체들이 차세대 신소재로 각광받고 있다.

그래핀은 탄소 원자가 육각 배열로 이루어져 0.3nm의 얇은 두께를 갖고 있으며 구리보다 100배 이상의 전기전도도, 실리콘보다 100 이상의 빠른 전자 이동도를 갖고 있어 기존의 금속, 반도체 물질을 대체할 수 있는 전자 재료로 거론된다.

하지만, 순수한 그래핀은 매우 낮은 전하 농도를 지니고 있으며, 수 나노미터 두께의 매우 얇은 구조 특성을 갖고 있어 그래핀의 기본 저항이 너무 높다는 문제가 있다.

장재은 교수팀은 이러한 한계를 극복하기 위해 그래핀내의 전하 농도를 조절하여 그래핀의 초고주파수 전송 특성을 향상시키는 연구를 진행했다.

그래핀과 비정질 탄소와의 결합을 통해 그래핀의 전하 농도를 증가시켰고 이를 통해 그래핀의 전기적 특성의 향상을 유도하였다.

연구팀이 개발한 초고주파용 그래핀 전송 선로는 높은 신호 전송 효율 및 안정적인 동작 특성을 보여 기존의 반도체 산업의 금속 배선 공정에 적용할 수 있어 차세대 집적 회로에 응용이 가능하다.

DGIST 정보통신융합전공 장재은 교수는 “소자 기술과 더불어 반도체 연구 분야에서 전송 선로는 매우 중요한 기술이다. 우리는 차세대 전송 선로로 활용될 수 있는 그래핀의 고주파 전송 특성을 향상시킬 수 있는 핵심기반기술을 개발했다”며 “나노공학, 전자공학, 물리학 분야 전문가들의 융합 연구 결과로 MMIC 및 RFIC 와 같은 고주파용 회로에서 적극 활용할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다.

대구 홍성철 기자 [e-mail]