삼성전자, 업계 첫 EUV 적용 D램 양산

최종수정 2020-03-25 09:10
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고객사에 모듈 100만개 공급평가 완료

삼성전자 평택공장 DS부문 V1라인. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 D램의 양산 체제를 갖췄다.

삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급(1나노 10억분의 1미터) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.
삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추게 됐다고 평가했다

EUV 노광 기술을 적용하면 양산 과정에서 성능과 수율을 높이고 제품 개발 기간을 단축하는 장점이 있다는 게 삼성전자의 설명이다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발하고 있다. EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급 D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 높이는 효과가 있다.
삼성전자는 내년에 성능과 용량을 높인 4세대 10나노급 D램(DDR5, LPDDR5)을 양산할 계획이다.

김정훈 기자 lennon@
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