2024년 03월 29일 금요일

  • 서울 5℃

  • 인천 7℃

  • 백령 5℃

  • 춘천 6℃

  • 강릉 8℃

  • 청주 7℃

  • 수원 6℃

  • 안동 5℃

  • 울릉도 12℃

  • 독도 12℃

  • 대전 7℃

  • 전주 7℃

  • 광주 8℃

  • 목포 9℃

  • 여수 9℃

  • 대구 7℃

  • 울산 10℃

  • 창원 8℃

  • 부산 11℃

  • 제주 11℃

삼성전자, 3나노 GAA 공정 공개···파운드리 주도권 박차

삼성전자, 3나노 GAA 공정 공개···파운드리 주도권 박차

등록 2019.05.15 17:01

강길홍

  기자

14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 삼성전자 파운드리 사업부 정은승 사장이 기조 연설을 하고 있다. 사진=삼성전자 제공14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 삼성전자 파운드리 사업부 정은승 사장이 기조 연설을 하고 있다. 사진=삼성전자 제공

삼성전자가 3나노 GAA 공정을 공개하고 파운드리 주도권 확보에 박차를 가했다.

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’를 개최하고 ‘차세대 3나노 GAA 공정’과 새로운 고객 지원 프로그램인 ‘SAFETM-Cloud’를 소개했다.

삼성전자는 지난해 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 공정에 도입하겠다고 공개한데 이어 올해 포럼에서는 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트를 팹리스 고객들에게 배포했다.

공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 이를 활용하면 팹리스 업체가 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있어 시장 출시까지 소요 기간을 단축하고 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자의 3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있으며, 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 기대된다.

삼성전자는 3나노 공정에서 독자적인 MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사들에게 제공할 계획이다. MBCFETTM은 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식으로, 성능과 전력효율을 높이는 것은 물론 핀펫 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 장점을 가지고 있다.

삼성전자는 또 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 SAFETM-Cloud 서비스를 시작한다고 밝혔다.

삼성전자 SAFETM-Cloud 서비스는 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트, 자동화 설계 툴 회사인 케이던스, 시놉시스와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다.

팹리스 고객들은 SAFETM-Cloud 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정 설계 키트, 설계 방법론, 자동화 설계 툴, 설계 자산 등을 이용해 투자비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다”라며 “이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어서 무척 기쁘다”라고 밝혔다.

뉴스웨이 강길홍 기자

ad

댓글